原標題：東芝推出新款碳化硅MOSFET模塊，有助于提升工業設備效率和小型化

東芝推出的新款碳化硅（SiC）MOSFET模塊，在提升工業設備效率和小型化方面取得了顯著進展。以下是對該新款碳化硅MOSFET模塊的詳細介紹：

一、產品背景與特點

東芝作為半導體和存儲解決方案的領先供應商，一直致力于為工業應用提供高性能的功率器件。此次推出的新款碳化硅MOSFET模塊，是東芝在碳化硅技術領域的又一重要突破。該模塊具有低導通電阻、低開關損耗和高擊穿電壓等特點，特別適用于需要高效率和小型化的工業設備。

二、產品規格與性能

1. 額定電壓與電流：

• 漏源電壓（VDSS）額定值為2200V（部分產品如TWxxNxxxC系列可能具有不同的額定電壓，如1200V或650V）。

• 可支持漏端電流（continuous drain current）高達250A（具體數值可能因產品型號而異）。

• 漏極電流（脈沖）（IDP）可達500A。

2. 隔離電壓與工作溫度：

• 隔離電壓（Visol）為4000Vrms。

• 器件可在高達150℃的通道溫度（Tch）下工作。

3. 傳導損耗與開關損耗：

• 傳導損耗較低，漏極-源極導通電壓（VDS(on)sense）僅為0.7V（具體數值可能因產品型號而異）。

• 開關損耗實現最小化，典型的導通損耗和關斷損耗分別為14mJ和11mJ。

4. 優化設計與可靠性：

• 對漂移層雜質濃度和厚度進行優化，以增強模塊的導通電阻（RDS(ON)）與絕緣擊穿電壓之間的關聯。

• 在p型硅（p-base）和n基區（n-drift）之間嵌入具有箝位PN結（PN junction）的肖特基二極管（SBD），保障模塊在反向傳導條件下的可靠性。

三、應用與優勢

1. 應用領域：

• 該新款碳化硅MOSFET模塊適用于各種工業設備，如軌道車輛用逆變器和轉換器、光伏逆變器、不間斷電源（UPS）、電動汽車充電站等。

2. 優勢：

• 顯著提升設備效率：通過降低導通電阻和開關損耗，實現更高的工作頻率和更低的功率損耗。

• 助力設備小型化：由于開關損耗低，可以簡化逆變器設計并提高功率密度，從而減小模塊體積及重量。

• 增強對宇宙射線的抗擾性：優化漂移層雜質濃度和厚度，提高模塊在光伏系統等應用中的可靠性。

四、總結

東芝推出的新款碳化硅MOSFET模塊在提升工業設備效率和小型化方面表現出色。其低導通電阻、低開關損耗和高擊穿電壓等特點，使其成為各種工業應用的理想選擇。未來，隨著碳化硅技術的不斷發展，東芝將繼續致力于推出更多高性能的功率器件，為工業設備的升級和轉型提供有力支持。