原標題：SRII重磅亮相CICD 2021，以先進ALD技術賦能第三代半導體產業

SRII（青島四方思銳智能技術有限公司）在CICD 2021（2021年中國集成電路制造年會）上的亮相，以先進ALD（原子層沉積）技術賦能第三代半導體產業，展現了其在半導體制造領域的創新實力和市場前景。以下是對該事件的詳細分析：

一、SRII的亮相背景

隨著新能源汽車、數據中心、儲能、手機快充等應用的興起，第三代半導體材料如SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）因其高耐壓等級、高開關頻率和高性能等特點，逐漸嶄露頭角并獲得業界的廣泛關注。這些新型功率器件在生產工藝不斷優化和成本持續降低的情況下，開始投入批量應用，并迎來了關鍵的產能爬坡階段。SRII作為業界領先的ALD設備制造商和服務商，通過亮相CICD 2021，向業界展示了其在第三代半導體產業中的技術實力和市場布局。

二、SRII的技術實力

SRII在CICD 2021上展示了其先進的ALD技術，該技術在功率半導體制造環節中具有創新應用。ALD技術屬于CVD（化學氣相沉積）的一種，是當下最先進的薄膜沉積技術之一。它能夠以單原子膜（0.1nm）形式沉積在基底表面，并在整體器件的鍍膜控制上達到很高的精確度。這種技術對于SiC、GaN等功率與化合物材料尤為重要，因為這些材料的器件3D結構越來越復雜，對薄膜的要求也越來越高。

三、SRII的市場布局

1. 產品布局：SRII推出了量產型ALD沉積設備——Transform?系列，并成功交付了最新的Beneq Transform? Lite設備給中國市場的第三代半導體龍頭客戶，幫助其加速GaN產線的擴建。這些設備在25片8寸晶圓的batch工藝條件下，基于完全真實的cycle time和GPC、WiW、WtW等指標，完全滿足spec要求。

2. 全球化與本地化并行：SRII自2019年起，在歐洲、美國、日本、中國大陸和中國臺灣地區等全球知名半導體客戶量產線上投入使用，有著充分驗證的工藝穩定性和設備穩定性。同時，SRII也積極推行本地化布局，通過在中國市場扎根、培養本地國際化創新型團隊，加強與不同區域、不同領域、不同機構的產業生態合作。

3. 聯合研發：SRII表示非常希望與國內的機構或行業客戶開展聯合研發工作，通過采用基于ALD技術的創新應用，實現提升器件性能以及易于量產的目的。

四、市場前景

根據Yole Développement的最新調研報告，預計2026年全球GaN功率器件的市場規模將增長至11億美元，年均復合增長率達到70%。其中，手機快充等消費市場是未來2-3年的主要驅動力，新能源汽車OBC充電器、工業領域逆變器、數據中心高效電源等應用則緊隨其后。這為SRII等ALD設備制造商提供了廣闊的市場空間和發展機遇。

綜上所述，SRII在CICD 2021上的亮相不僅展示了其在第三代半導體產業中的技術實力和市場布局，也預示著其在未來半導體制造領域中的巨大潛力和廣闊前景。