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三星半導(dǎo)體MZVL2512HCJQ-00$00/07固態(tài)硬盤介紹
三星半導(dǎo)體MZVL2512HCJQ-00$00/07固態(tài)硬盤介紹
三星半導(dǎo)體MZVL2512HCJQ-00$00/07固態(tài)硬盤（SSD）是一款針對(duì)高性能存儲(chǔ)需求的固態(tài)硬盤產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于各類計(jì)算平臺(tái)和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)環(huán)境。作為三星半導(dǎo)體系列中的一員，它結(jié)合了三星獨(dú)特的存儲(chǔ)技術(shù)、可靠的硬件設(shè)計(jì)以及優(yōu)越的數(shù)據(jù)處理能力。本文將對(duì)該型號(hào)固態(tài)硬盤進(jìn)行詳細(xì)的介紹，涵蓋其技術(shù)規(guī)格、工作原理、特點(diǎn)、優(yōu)勢(shì)以及在不同應(yīng)用場(chǎng)景中的表......
三星半導(dǎo)... MZVL... 固態(tài)硬盤
2024-12-10
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Samsung三星CL05A105KQ5NNNC貼片電容中文資料
Samsung三星CL05A105KQ5NNNC貼片電容中文資料
三星 CL05A105KQ5NNNC 是一種片式多層陶瓷電容器（MLCC），廣泛應(yīng)用于電子電路中。本文將詳細(xì)介紹這種電容器的型號(hào)類型、工作原理、特點(diǎn)、應(yīng)用和參數(shù)等方面的內(nèi)容。廠商名稱：Samsung三星元件分類：電容中文描述： 三星貼片電容，MLCC，精度：±10%容值：1uF額定電壓：6.3V溫漂系數(shù)(介質(zhì)材料)：X5R材質(zhì)英文描述： ......
Sams... CL05... 貼片電容
2024-06-25
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三星在西安建廠：建廠背景、生產(chǎn)規(guī)模、技術(shù)創(chuàng)新和經(jīng)濟(jì)效益
三星在西安建廠：建廠背景、生產(chǎn)規(guī)模、技術(shù)創(chuàng)新和經(jīng)濟(jì)效益
摘要三星在西安建廠是一個(gè)重大的舉措，對(duì)于中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展具有重要意義。本文將從四個(gè)方面對(duì)三星在西安建廠進(jìn)行詳細(xì)闡述，包括建廠背景、生產(chǎn)規(guī)模、技術(shù)創(chuàng)新和經(jīng)濟(jì)效益。一、建廠背景三星作為全球知名的電子產(chǎn)品制造商，在中國市場(chǎng)具有廣泛影響力。西安作為中國中部地區(qū)的重要城市，擁有良好的投資環(huán)境和優(yōu)質(zhì)人才資源。因此，選擇在西安建立生產(chǎn)基地是符合三星......
三星
2023-10-31
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三星賠款事件：賠款背景、賠款金額、影響與教訓(xùn)、未來展望
三星賠款事件：賠款背景、賠款金額、影響與教訓(xùn)、未來展望
摘要三星賠款事件是指三星電子公司因?yàn)槠涫謾C(jī)電池爆炸問題而被迫進(jìn)行大規(guī)模召回，并向受影響的消費(fèi)者支付巨額賠償金。這一事件對(duì)于三星來說無疑是一個(gè)巨大的打擊，但同時(shí)也給了該公司一個(gè)機(jī)會(huì)來重新審視其產(chǎn)品質(zhì)量和服務(wù)體驗(yàn)。本文將從四個(gè)方面對(duì)三星賠款進(jìn)行詳細(xì)闡述。一、賠款背景在2016年，三星電子公司發(fā)布了Galaxy Note 7智能手機(jī)。然而不久之......
三星
2023-10-31
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三星943nw通病：屏幕閃爍問題、色彩失真問題、無法開機(jī)問題、顯示畫面模糊問題
三星943nw通病：屏幕閃爍問題、色彩失真問題、無法開機(jī)問題、顯示畫面模糊問題
摘要三星943nw是一款常見的液晶顯示器，然而在使用過程中存在著一些通病。本文將從四個(gè)方面對(duì)三星943nw的通病進(jìn)行詳細(xì)闡述，幫助讀者更好地了解和解決這些問題。一、屏幕閃爍問題屏幕閃爍是三星943nw常見的通病之一。造成屏幕閃爍的原因有很多，可能是電源供應(yīng)不穩(wěn)定、驅(qū)動(dòng)程序問題或者顯示器內(nèi)部故障等。針對(duì)這個(gè)問題，我們可以嘗試重新插拔電源線、......
三星94...
2023-10-31
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三星P2設(shè)計(jì)特點(diǎn)、性能指標(biāo)、應(yīng)用領(lǐng)域和市場(chǎng)前景
三星P2設(shè)計(jì)特點(diǎn)、性能指標(biāo)、應(yīng)用領(lǐng)域和市場(chǎng)前景
摘要三星P2是一款頗具創(chuàng)新性的元器件，其在多個(gè)方面都有出色的表現(xiàn)。本文將從四個(gè)方面對(duì)三星P2進(jìn)行詳細(xì)闡述，包括設(shè)計(jì)特點(diǎn)、性能指標(biāo)、應(yīng)用領(lǐng)域和市場(chǎng)前景。一、設(shè)計(jì)特點(diǎn)三星P2的設(shè)計(jì)特點(diǎn)主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：首先，它采用了先進(jìn)的制造工藝和材料，使得其具備更高的集成度和更小的尺寸。這使得它可以在各種緊湊空間中靈活應(yīng)用。其次，三星P2還采用了獨(dú)特......
三星P2
2023-10-31
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三星機(jī)電CL高電容汽車mlcc的介紹、特性、及應(yīng)用
三星機(jī)電CL高電容汽車mlcc的介紹、特性、及應(yīng)用
　　三星機(jī)電CL高電容汽車mlcc是AEC-Q200合格，并提供小尺寸的高電容。這些0805小型組件具有X7R溫度特性，溫度范圍為-55°C至125°C，額定電壓范圍為4V(DC)至35V(DC)。汽車CL高電容mlcc允許在ADAS soc附近密集放置組件，沒有問題。設(shè)計(jì)師/用戶可以在小空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)所需的組合，電容范圍從1 μ F到4.......
三星機(jī)電 汽車ml...
2023-04-18
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三星機(jī)電CL微型超高電容MLCCs的介紹、特性、及應(yīng)用
三星機(jī)電CL微型超高電容MLCCs的介紹、特性、及應(yīng)用
　　三星電磁CL微型超高電容mlcc提供22μF至100μFF電容范圍(±20%公差)，額定電壓6.3V(DC)。aec - q200合格的MLCCs具有X5R溫度特性，意味著在-55°C到+85°C的溫度范圍內(nèi)具有高容量效率。三星電磁CL微型高電容mlcc有0402和0805外殼尺寸可供選擇。　　特性　　X5R溫度特性，-55°C至+......
MLCC 超高電容 三星電磁
2023-02-15
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三星通過積極的資本支出應(yīng)對(duì)芯片低迷
三星通過積極的資本支出應(yīng)對(duì)芯片低迷
　　三星芯片業(yè)務(wù)能否近期反彈?　　三星電子公司 做出了一個(gè)出人意料的激進(jìn)決定，將資本支出保持在與去年相同的水平，無視與競爭對(duì)手一起撤回以減輕已經(jīng)遭受重創(chuàng)的半導(dǎo)體行業(yè)壓力的預(yù)期。　　芯片制造商一直在努力應(yīng)對(duì)內(nèi)存價(jià)格的歷史性暴跌，在大流行驅(qū)動(dòng)的產(chǎn)量開始增加幾個(gè)月后，消費(fèi)者減少了對(duì)小工具的購買。庫存堆積如山，迫使兩位數(shù)的價(jià)格下滑，抹去利潤，迫使......
三星 三星電子
2023-01-31
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三星保持芯片投資，不被8年低利潤嚇倒
三星保持芯片投資，不被8年低利潤嚇倒
　　　　2021 年 11 月 22 日，在美國紐約市曼哈頓的一家商店看到三星標(biāo)牌。路透社/安德魯·凱利/檔案照片　　首爾，1月31日(路透社) - 韓國三星電子有限公司 (005930. 周二表示，今年沒有削減芯片投資的計(jì)劃，盡管全球經(jīng)濟(jì)疲軟使該行業(yè)陷入十多年來最嚴(yán)重的衰退。　　該指引與縮減支出和產(chǎn)量的更廣泛行業(yè)趨勢(shì)背道而馳，引發(fā)了人......
三星
2023-01-31
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三星推出業(yè)界首款速度高達(dá)7.2 Gbps的12納米級(jí)DDR5 DRAM
三星推出業(yè)界首款速度高達(dá)7.2 Gbps的12納米級(jí)DDR5 DRAM
三星推出的業(yè)界首款速度高達(dá)7.2 Gbps的12納米級(jí)DDR5 DRAM具有多項(xiàng)引人注目的特點(diǎn)，以下是對(duì)其的詳細(xì)介紹：技術(shù)規(guī)格：速度：這款DDR5 DRAM的最高速度達(dá)到了7.2 Gbps，意味著它可以在一秒鐘內(nèi)處理大約兩部30GB的超高清電影。工藝：采用業(yè)界最先進(jìn)的12納米級(jí)工藝技術(shù)，相較于上一代產(chǎn)品，晶圓生產(chǎn)力提升了約20%。能效：與......
三星 12納米 DDR5...
2022-12-22
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泄密者指出，三星Galaxy S23，Galaxy S23 Plus和Galaxy S23 Ultra的發(fā)布時(shí)間早于預(yù)期。
泄密者指出，三星Galaxy S23，Galaxy S23 Plus和Galax...
關(guān)于三星Galaxy S23，Galaxy S23 Plus和Galaxy S23 Ultra的發(fā)布時(shí)間早于預(yù)期的情況，可以參考以下詳細(xì)分析：原計(jì)劃發(fā)布時(shí)間：根據(jù)三星的常規(guī)發(fā)布策略，Galaxy S系列新機(jī)通常會(huì)在每年的年初發(fā)布。然而，在Galaxy S23系列的發(fā)布前，有多篇報(bào)道和傳聞指出其可能會(huì)提前發(fā)布。提前發(fā)布的傳聞：早在2022年......
三星 Gala... Gala...
2022-12-22
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YMTC領(lǐng)先三星，美光在3D NAND方面受到挑戰(zhàn)
YMTC領(lǐng)先三星，美光在3D NAND方面受到挑戰(zhàn)
YMTC（長江存儲(chǔ)）在3D NAND技術(shù)方面確實(shí)已經(jīng)取得了顯著的進(jìn)展，并在某些方面對(duì)三星和美光等傳統(tǒng)行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者構(gòu)成了挑戰(zhàn)。以下是對(duì)這一觀點(diǎn)的具體分析和依據(jù)：技術(shù)突破：YMTC最近推出了一款232層QLC 3D NAND存儲(chǔ)芯片，具有198Gb/mm2的比特密度，這是目前業(yè)界推出的商用NAND產(chǎn)品中最高的。這一技術(shù)突破展現(xiàn)了YMTC在3D ......
長江存儲(chǔ) 3D N... 3D N...
2022-12-19
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三星與NAVER合作開發(fā)超大規(guī)模AI芯片解決方案
三星與NAVER合作開發(fā)超大規(guī)模AI芯片解決方案
三星與NAVER合作開發(fā)超大規(guī)模AI芯片解決方案隨著人工智能技術(shù)的迅速發(fā)展，AI芯片作為人工智能計(jì)算的核心驅(qū)動(dòng)力，正在成為各行各業(yè)的創(chuàng)新關(guān)鍵。近期，三星與NAVER合作開發(fā)超大規(guī)模AI芯片解決方案的消息引起了廣泛關(guān)注。本文將對(duì)這一合作項(xiàng)目進(jìn)行介紹，并探討相關(guān)品牌和型號(hào)。1.三星與NAVER合作背景三星電子作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商，擁有豐......
三星 NAVE... AI芯片
2022-12-08
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印度尼西亞 2022 年第三季度智能手機(jī)出貨量同比下降 21%
印度尼西亞 2022 年第三季度智能手機(jī)出貨量同比下降 21%
印度尼西亞2022年第三季度智能手機(jī)出貨量的確出現(xiàn)了同比下降21%的情況。這一數(shù)據(jù)來源于Counterpoint發(fā)布的月度印度尼西亞渠道份額追蹤報(bào)告。該報(bào)告指出，由于宏觀經(jīng)濟(jì)狀況沒有任何改善跡象，以及上一年第三季度新冠后首次解除城市封鎖為市場(chǎng)注入了活力，導(dǎo)致本季度的出貨量同比下降。具體來說，進(jìn)入2022年第四季度，該機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)宏觀經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇會(huì)......
智能手機(jī) OPPO 三星
2022-11-18
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三星公布 1.4nm 工藝節(jié)點(diǎn)計(jì)劃
三星公布 1.4nm 工藝節(jié)點(diǎn)計(jì)劃
三星已經(jīng)公布了其1.4nm工藝節(jié)點(diǎn)的計(jì)劃。根據(jù)最近的搜索結(jié)果，三星在2024年6月14日舉行的相關(guān)活動(dòng)中，正式官宣了他們的半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展計(jì)劃[1][2][3][4]。具體來說，三星計(jì)劃于2025年開始量產(chǎn)2nm芯片，并預(yù)計(jì)在2027年推出1.4nm工藝。這次的計(jì)劃覆蓋了多個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)，包括SF2、SF2P、SF2X、SF2A和SF2Z等版本......
三星電子 1.4n... 1.4納...
2022-10-11
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三星電機(jī) CL 微型超高電容MLCC
三星電機(jī) CL 微型超高電容MLCC
三星電機(jī)CL微型超高電容MLCC（Multilayer Ceramic Capacitors）是該公司生產(chǎn)的一種高性能、微型化的多層陶瓷電容器。以下是關(guān)于三星電機(jī)CL微型超高電容MLCC的詳細(xì)信息和特點(diǎn)：產(chǎn)品概述：MLCC是一種起到儲(chǔ)電后定量輸送電“水壩”作用的被動(dòng)元件，能夠調(diào)節(jié)電路中電流的定量傳輸，有效防止元器件間出現(xiàn)電磁波干擾現(xiàn)象。三......
三星電機(jī) 微型超高... MLCC
2022-08-16
17
三星電子推出新款圖像傳感器ISOCELL
三星電子推出新款圖像傳感器ISOCELL
三星電子近期推出了新款圖像傳感器ISOCELL，這一系列傳感器以其卓越的性能和創(chuàng)新能力，進(jìn)一步鞏固了三星在圖像傳感器市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。以下是關(guān)于新款I(lǐng)SOCELL圖像傳感器的主要特點(diǎn)和詳細(xì)信息：ISOCELL HP9：像素規(guī)格：作為業(yè)界首款2億像素的長焦傳感器，ISOCELL HP9采用1/1.4英寸的光學(xué)規(guī)格，擁有2億個(gè)0.56微米大小的......
圖像傳感...
2022-05-18
7
三星宣布首批支持HDR10+ Gaming的顯示器和電視陣容
三星宣布首批支持HDR10+ Gaming的顯示器和電視陣容
三星宣布的首批支持HDR10+ Gaming的顯示器和電視陣容是其在游戲顯示技術(shù)方面的一個(gè)重要里程碑。以下是對(duì)這一陣容的詳細(xì)解析：一、背景介紹HDR10+ Gaming是三星針對(duì)游戲領(lǐng)域推出的HDR10+標(biāo)準(zhǔn)的擴(kuò)展版本，旨在提供更高的峰值亮度、自動(dòng)低延遲與可變刷新率，以及更好的視頻源與顯示設(shè)備的適配性，從而帶來更佳的游戲性能與視覺效果。這......
HDR1... 動(dòng)低延遲... nvid...
2021-12-27
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三星宣布高性能 PCIe 5.0 固態(tài)硬盤開發(fā)成功：順序讀取速度 13000MB / s，擁有 15.36TB 容量
三星宣布高性能 PCIe 5.0 固態(tài)硬盤開發(fā)成功：順序讀取速度 13000MB...
三星宣布高性能PCIe 5.0固態(tài)硬盤開發(fā)成功，該硬盤在性能上取得了顯著的提升，特別是在順序讀取速度和存儲(chǔ)容量方面。以下是對(duì)該硬盤的詳細(xì)分析：一、基本信息產(chǎn)品名稱：三星PM1743固態(tài)硬盤接口類型：PCIe 5.0閃存技術(shù)：三星第6代V-NAND二、性能特點(diǎn)順序讀取速度：速度值：13000MB/s（或13GB/s，兩者單位不同但數(shù)值相等）......
PM17... 企業(yè)服務(wù)... 千兆傳輸
2021-12-24
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