ROHM開發
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對于功率半導體來說,當導通電阻降低時短路耐受時間※2就會縮短,兩者之間存在著矛盾權衡關系,因此在降低SiC MOSFET的導通電阻時,如何兼顧短路耐受時間一直是一個挑戰。 此次開發的新產品,通過進一步改進ROHM獨有的雙溝槽結構※3,改善了二者之間的矛盾權衡關系,與以往產品相比,在不犧牲短路耐受時間的前提下成功地將單位面積的導通電阻降低了約40%。















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