碳化硅MOSFET憑借其高溫耐受、高耐壓、低損耗、高開(kāi)關(guān)速度等優(yōu)勢(shì)，在多個(gè)對(duì)效率、功率密度和可靠性要求較高的領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。以下是其典型應(yīng)用場(chǎng)景及具體分析：一、電動(dòng)汽車與充電樁電機(jī)控制器優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)：碳化硅MOSFET的高開(kāi)關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻，可降低電機(jī)控制器的開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，提高系統(tǒng)的整體效率。例如，在電動(dòng)汽車行駛過(guò)程中，電機(jī)控制器需......

碳化硅（SiC）MOSFET 作為一種新型的功率半導(dǎo)體器件，在許多應(yīng)用領(lǐng)域展現(xiàn)出獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，但也存在一些不足之處，以下是其優(yōu)缺點(diǎn)的詳細(xì)分析：優(yōu)點(diǎn)1.高溫性能優(yōu)異耐受高溫：碳化硅材料具有高禁帶寬度（約 3.26eV），相比硅（Si，禁帶寬度約 1.12eV），碳化硅MOSFET 能夠在更高的溫度下穩(wěn)定工作，通常其最高工作溫度可達(dá) 200℃甚......

Onsemi NTH4L022N120M3S碳化硅MOSFET中文資料一、型號(hào)類型及概述Onsemi NTH4L022N120M3S是一款高性能的碳化硅（SiC）MOSFET，屬于EliteSiC系列中的M3S子系列。該器件專為快速開(kāi)關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)，利用先進(jìn)的碳化硅材料技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了高電壓、高電流密度及低導(dǎo)通電阻等優(yōu)異性能。NTH4L022N......

英飛凌的碳化硅(SiC) CoolSiC mosfet基于最先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體工藝，經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可實(shí)現(xiàn)應(yīng)用中最低的損耗和最高的運(yùn)行可靠性。分立CoolSiC MOSFET產(chǎn)品組合有650 V, 750 V, 1200 V, 1700 V和2000 V電壓等級(jí)，導(dǎo)通電阻額定值從7 毫歐到1000 毫歐。CoolSiC溝槽技術(shù)可實(shí)現(xiàn)靈活的參數(shù)設(shè)置......

onsemi NVHL015N065SC1碳化硅(SiC) MOSFET采用新技術(shù)，提供卓越的開(kāi)關(guān)性能和高可靠性。這種SiC MOSFET具有n溝道、高效率、更快的工作頻率、更高的功率密度、更低的EMI和更小的系統(tǒng)尺寸。NVHL015N065SC1 MOSFET具有低ON電阻和緊湊的芯片尺寸，可確保低電容和柵極電荷。該EliteSiC M......

onsemi nvh045n065sc1碳化硅(SiC) mosfet采用EliteSiC技術(shù)，提供卓越的開(kāi)關(guān)性能。與傳統(tǒng)的硅mosfet相比，onsemi NVHL045N065SC1具有更高的可靠性。mosfet的低ON電阻和緊湊的芯片尺寸導(dǎo)致低電容和柵極電荷，有助于高效率，快速工作頻率，增加功率密度，減少電磁干擾(EMI)，以及更緊......

onsemi nvh025n065sc1碳化硅(SiC) mosfet是EliteSiC 25毫歐， 650V mosfet，提供卓越的開(kāi)關(guān)性能。與硅相比，onsemi nvh025n065sc1具有更高的可靠性和低導(dǎo)通電阻。mosfet緊湊的芯片尺寸確保了低電容和柵極電荷。系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)包括高效率、快速工作頻率、增加功率密度、減少EMI和減......

onsemi NXH40B120MNQ0全碳化硅（SiC）MOSFET模塊是一款高性能的電力電子器件，以下是對(duì)其的詳細(xì)介紹：主要組成：該模塊包含一個(gè)雙升壓級(jí)，由兩個(gè)40mΩ/1200V SiC MOSFET和兩個(gè)40A/1200V SiC二極管組成。另外，它還包含兩個(gè)額外的50A/1200V旁路整流器，用于浪涌電流限制。特性與優(yōu)勢(shì)：低傳導(dǎo)......

onsemi（安森美）M3S 1200V碳化硅MOSFET的介紹、特性及應(yīng)用一、介紹onsemi（安森美）推出的M3S 1200V碳化硅（SiC）MOSFET是該公司最新一代的碳化硅功率器件，專為提高電動(dòng)汽車（EV）和能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用的效率而設(shè)計(jì)。該系列產(chǎn)品不僅繼承了SiC MOSFET在提高效率、增加功率密度方面的優(yōu)勢(shì)，還針對(duì)特定應(yīng)用進(jìn)......

意法半導(dǎo)體正式推出的第三代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET，是電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)重要技術(shù)突破，尤其在電動(dòng)汽車和工業(yè)市場(chǎng)應(yīng)用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)。以下是對(duì)該產(chǎn)品的詳細(xì)分析：一、產(chǎn)品背景與優(yōu)勢(shì)1. 產(chǎn)品背景意法半導(dǎo)體作為半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)先企業(yè)，一直致力于推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品升級(jí)。第三代STPOWER碳化硅MOSFET的推出，是其對(duì)高壓、高功......

Microchip與Mersen合作推出的SiC（碳化硅）電源協(xié)議棧參考設(shè)計(jì)，確實(shí)涉及Microchip為Mersen提供碳化硅MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)器的支持。以下是對(duì)此合作的詳細(xì)解析：一、合作背景與目的背景：電動(dòng)汽車、商業(yè)運(yùn)輸、可再生能源和存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員需要提高性能和成本效率的電源管理解決方案。碳化......

Microchip推出的首款完全可配置的碳化硅MOSFET數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)器，在電力電子領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注。這款柵極驅(qū)動(dòng)器憑借其顯著的性能優(yōu)勢(shì)，不僅大幅降低了開(kāi)關(guān)損耗，還加快了產(chǎn)品的上市時(shí)間，并已正式投入生產(chǎn)。以下是對(duì)該產(chǎn)品的詳細(xì)介紹：產(chǎn)品特點(diǎn)完全可配置性：Microchip的這款碳化硅MOSFET數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)器具有高度的可配置性，允許系統(tǒng)設(shè)......

安森美半導(dǎo)體在APEC 2021（應(yīng)用電力電子會(huì)議）上確實(shí)發(fā)布了新的用于電動(dòng)車充電的完整碳化硅（SiC）MOSFET模塊方案。以下是對(duì)該方案的詳細(xì)解讀：一、發(fā)布背景與目的隨著電動(dòng)車市場(chǎng)的不斷增長(zhǎng)，對(duì)充電基礎(chǔ)設(shè)施的需求也日益迫切。為了滿足駕駛員對(duì)快速充電站網(wǎng)絡(luò)的需求，以及緩解“續(xù)航里程焦慮癥”，安森美半導(dǎo)體推出了這一新的碳化硅MOSFET模......

意法半導(dǎo)體發(fā)布的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，確實(shí)可以安全控制碳化硅（SiC）MOSFET。以下是對(duì)該產(chǎn)品的詳細(xì)介紹：一、產(chǎn)品概述意法半導(dǎo)體推出的STGAP系列隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。其中，STGAP2SiCS是STGAP系列隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的最新產(chǎn)品，可安全地控制碳化硅（SiC）MOSFET，工作電源......

東芝推出的新款碳化硅（SiC）MOSFET模塊，在提升工業(yè)設(shè)備效率和小型化方面取得了顯著進(jìn)展。以下是對(duì)該新款碳化硅MOSFET模塊的詳細(xì)介紹：一、產(chǎn)品背景與特點(diǎn)東芝作為半導(dǎo)體和存儲(chǔ)解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商，一直致力于為工業(yè)應(yīng)用提供高性能的功率器件。此次推出的新款碳化硅MOSFET模塊，是東芝在碳化硅技術(shù)領(lǐng)域的又一重要突破。該模塊具有低導(dǎo)通電阻......

東芝推出的新款1200V碳化硅（SiC）MOSFET，是針對(duì)高效率電源應(yīng)用需求設(shè)計(jì)的一款先進(jìn)功率器件。碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料，相較于傳統(tǒng)硅基器件，具有更優(yōu)異的電學(xué)和熱學(xué)性能，特別適用于需要高效率、高功率密度和高溫運(yùn)行的場(chǎng)景。核心優(yōu)勢(shì)與特性低導(dǎo)通電阻（Rds(on)）碳化硅MOSFET的導(dǎo)通電阻顯著低于硅基IGBT或MOSFET，這意味......