您現(xiàn)在的位置： 首頁 > 標(biāo)簽 > GaN
GaN
GaN
相關(guān)文章 : 2篇 瀏覽 : 86次

基于GaN的6.6kW 雙向車載充電器設(shè)計方案
基于GaN的6.6kW 雙向車載充電器設(shè)計方案
基于GaN的6.6kW雙向車載充電器設(shè)計方案在電動汽車技術(shù)快速發(fā)展的當(dāng)下，車載充電器作為車輛與電網(wǎng)之間能量交互的核心部件，其性能直接影響到充電效率、續(xù)航里程以及用戶體驗。隨著氮化鎵（GaN）技術(shù)的日益成熟，其在高頻、高效、高功率密度方面的優(yōu)勢逐漸凸顯，為車載充電器的設(shè)計提供了新的思路。本文將詳細(xì)闡述一種基于GaN的6.6kW雙向車載充電器......
車載充電...
2025-05-27
4
TI TIDM－02008雙向高密度GaN CCM圖騰柱PFC參考設(shè)計方案
TI TIDM－02008雙向高密度GaN CCM圖騰柱PFC參考設(shè)計方案
TI TIDM-02008雙向高密度GaN CCM圖騰柱PFC參考設(shè)計方案詳解TIDM-02008是德州儀器（TI）推出的一款基于C2000?實時微控制器和LMG341xR070氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管（FET）的雙向高密度CCM圖騰柱PFC參考設(shè)計。該方案專為電動汽車（EV）車載充電器、通信設(shè)備整流器、驅(qū)動系統(tǒng)、焊接設(shè)備、工業(yè)應(yīng)用及......
圖騰柱P...
2025-05-23
4
ST MASTERGAN5 600V增強模式GaN功率半橋驅(qū)動器解決方案
ST MASTERGAN5 600V增強模式GaN功率半橋驅(qū)動器解決方案
ST MASTERGAN5 600V增強模式GaN功率半橋驅(qū)動器解決方案深度解析引言：GaN技術(shù)引領(lǐng)電源系統(tǒng)革新在電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，氮化鎵（GaN）技術(shù)憑借其高電子遷移率、高擊穿電壓和低導(dǎo)通損耗等特性，正逐步取代傳統(tǒng)硅基功率器件，成為推動高功率密度、高效率電源系統(tǒng)發(fā)展的核心力量。ST（意法半導(dǎo)體）作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商，推出的MA......
MAST... 半橋驅(qū)動...
2025-05-22
3
On Semi NCP51820＋NCP13992 300WGaN適配器解決方案
On Semi NCP51820＋NCP13992 300WGaN適配器解決方案...
On Semi NCP51820＋NCP13992 300W GaN適配器解決方案深度解析在電源適配器領(lǐng)域，隨著電子設(shè)備對功率密度、效率和體積的要求不斷提高，氮化鎵（GaN）功率器件憑借其優(yōu)異的性能逐漸成為主流選擇。安森美（On Semi）推出的NCP51820高速柵極驅(qū)動器與NCP13992半橋諧振控制器組合的300W GaN適配器解決......
NCP5... NCP1... GaN適...
2025-05-22
5
Infineon 1EDF5673K單路增強隔離高壓增強型GaN 柵極驅(qū)動方案
Infineon 1EDF5673K單路增強隔離高壓增強型GaN 柵極驅(qū)動方案
Infineon 1EDF5673K單路增強隔離高壓增強型GaN柵極驅(qū)動方案深度解析引言：氮化鎵技術(shù)驅(qū)動電力電子革命隨著全球能源轉(zhuǎn)型與電力電子系統(tǒng)對高效率、高功率密度的需求激增，氮化鎵（GaN）功率器件憑借其低導(dǎo)通電阻、超快開關(guān)速度和高溫穩(wěn)定性，正逐步取代傳統(tǒng)硅基器件，成為服務(wù)器電源、通信基站、電動汽車充電樁等高功率密度應(yīng)用的核心元件。然......
Infi... 1EDF... 柵極驅(qū)動
2025-05-19
7
ST VIPERGAN50 E模式GaN HEMT 50W高壓轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計方案
ST VIPERGAN50 E模式GaN HEMT 50W高壓轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計方案...
ST VIPERGAN50 E模式GaN HEMT 50W高壓轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計方案詳解在電源設(shè)計領(lǐng)域，隨著消費者對設(shè)備小型化、高效能和快速充電需求的不斷提升，傳統(tǒng)硅基功率器件已難以滿足日益嚴(yán)苛的性能要求。氮化鎵（GaN）作為一種第三代半導(dǎo)體材料，憑借其高電子遷移率、高擊穿電壓和低導(dǎo)通電阻等特性，正逐漸成為高功率密度電源設(shè)計的核心選擇。ST ......
VIPE... 高壓轉(zhuǎn)換...
2025-05-19
2
高頻GaN和低頻GaN的節(jié)能性如何比較？
高頻GaN和低頻GaN的節(jié)能性如何比較？
核心結(jié)論：節(jié)能性差異的本質(zhì)源于頻段適配性低頻GaN（<500 MHz）：在車載音頻、DC-DC轉(zhuǎn)換等低頻場景中，效率達(dá)95%~98%，節(jié)能性碾壓高頻GaN。高頻GaN（>1 GHz）：在毫米波雷達(dá)、5G通信等高頻場景中，效率40%~55%，為高頻場景的唯一節(jié)能解，但在低頻場景中效率驟降至<60%。決策原則：“頻段決定節(jié)能......
低頻Ga...
2025-04-29
2
高頻和低頻GaN功放哪個更節(jié)能？
高頻和低頻GaN功放哪個更節(jié)能？
在車載、通信及工業(yè)功率系統(tǒng)中，GaN功放的節(jié)能性直接決定系統(tǒng)效率、散熱成本與續(xù)航能力。高頻（GHz級）與低頻（MHz及以下）GaN功放的節(jié)能差異源于開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、匹配網(wǎng)絡(luò)效率三大核心機制。以下從技術(shù)原理、量化數(shù)據(jù)、應(yīng)用場景三個維度，直接給出節(jié)能性對比結(jié)論與深度分析。一、節(jié)能性核心機制對比1. 開關(guān)損耗：高頻GaN的“雙刃劍”高頻Ga......
低頻Ga...
2025-04-29
11
GaN功放的成本是多少？
GaN功放的成本是多少？
在車載音頻、功率轉(zhuǎn)換及雷達(dá)等場景中，GaN功放的高頻（GHz級）與低頻（MHz及以下）特性直接影響系統(tǒng)性能與成本。以下從技術(shù)適配性、應(yīng)用場景、成本效益三大維度，結(jié)合車載系統(tǒng)核心需求（效率、可靠性、電磁兼容性）展開對比，直接給出推薦結(jié)論與量化分析。一、技術(shù)適配性：高頻與低頻GaN的核心差異1. 帶寬與頻率覆蓋高頻GaN（>1 GHz）......
車載音頻
2025-04-29
2
Analog Devices ADPA1113 GaN功率放大器的介紹、特性、及應(yīng)用
Analog Devices ADPA1113 GaN功率放大器的介紹、特性、及...
Analog Devices公司ADPA1113 GaN功率放大器在2.3GHz至5.7GHz范圍內(nèi)提供46.5dBm (44.7W)輸出，功率效率提高39.0%。The Analog Devices Inc.ADPA1113在整個頻率范圍內(nèi)無縫工作，無需外部匹配、交流耦合或外部電感進(jìn)行偏置。該設(shè)備適用于軍用干擾機和雷達(dá)等連續(xù)波應(yīng)用。特性......
Anal... ADPA... GaN功...
2024-04-03
77
Transphorm TP65H300G4JSGB SuperGaN GaN場效應(yīng)管的介紹、特性、及應(yīng)用
Transphorm TP65H300G4JSGB SuperGaN GaN場效...
Transphorm TP65H300G4JSGB SuperGaN 氮化鎵(GaN)場效應(yīng)管結(jié)合了最先進(jìn)的高壓GaN HEMT和低壓硅MOSFET，具有卓越的可靠性和性能。SuperGaN GaN FET是一種正常關(guān)閉的器件，使用Transphorm的Gen IV平臺。第四代SuperGaN平臺采用先進(jìn)的epi和專利設(shè)計技術(shù)，簡化了可制......
Tran... TP65... GaN場...
2024-03-21
4
Transphorm TP65H300G4LSGB 650V SuperGaN GaN場效應(yīng)管的介紹、特性、及應(yīng)用
Transphorm TP65H300G4LSGB 650V SuperGaN ...
Transphorm TP65H300G4LSGB 650V SuperGaN 氮化鎵(GaN)場效應(yīng)管是一種240毫歐正常關(guān)閉器件，采用8x8 PQFN封裝。該GaN FET采用Transphorms Gen IV平臺，該平臺結(jié)合了先進(jìn)的epi和專利設(shè)計技術(shù)，以簡化可制造性。TP65H300G4LSGB GaN場效應(yīng)管結(jié)合了最先進(jìn)的高壓......
Tran... TP65... GaN場...
2024-03-21
6
Transphorm TP65H050G4YS 650V SuperGaN FET(50毫歐氮化鎵(GaN)正常關(guān)閉器件)的介紹、特性、及應(yīng)用
Transphorm TP65H050G4YS 650V SuperGaN FE...
Transphorm TP65H050G4YS 650V SuperGaN FET是一種50毫歐氮化鎵(GaN)正常關(guān)閉器件，采用4引腳TO-247封裝。這款第四代SuperGaN FET采用了Transphorms第四代平臺，該平臺支持先進(jìn)的epi和專利設(shè)計技術(shù)，可簡化制造過程。TP65H050G4YS 650V FET結(jié)合了最先進(jìn)的高......
Tran... TP65... Supe...
2024-03-21
5
如何使用GaN功率器件(EPC2065和EPC9167)打造卓越的中檔電機逆變器
如何使用GaN功率器件(EPC2065和EPC9167)打造卓越的中檔電機逆變器...
　　作者：Bill Schweber　　推動更有效地利用能源、更嚴(yán)格的監(jiān)管要求以及冷卻器運行的技術(shù)優(yōu)勢都支持了最近減少電動機功耗的舉措。雖然硅 MOSFET 等開關(guān)技術(shù)很普遍，但它們通常無法滿足關(guān)鍵逆變器應(yīng)用更苛刻的性能和效率目標(biāo)。　　相反，設(shè)計人員可以使用氮化鎵 (GaN) 來實現(xiàn)這些目標(biāo)，氮化鎵是一種寬帶隙 (WBG) FET 器......
GaN功... 電機逆變... EPC2...
2024-03-07
75
Transphorm TP65H070G4RS 650V SuperGaN FET in TOLT的介紹、特性、及應(yīng)用
Transphorm TP65H070G4RS 650V SuperGaN FE...
Transphorm TP65H070G4RS 650V SuperGaN FET在TOLT中具有導(dǎo)通電阻R(DS(on)) 72毫歐，典型的頂部冷卻，表面貼裝TOLT封裝符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)MO-332。TOLT封裝提供了熱管理的靈活性，特別是在系統(tǒng)中，不允許傳統(tǒng)的表面貼裝設(shè)備與底部冷卻。TP65H070G4RS是一種正常關(guān)閉器件，結(jié)合了......
Tran... TP65... Supe...
2024-02-28
6
適用于自主駕駛車輛激光探測及測距 (LiDAR) 的GaN FET(EPC2252)快速指南(EPC9989內(nèi)插器板)
適用于自主駕駛車輛激光探測及測距 (LiDAR) 的GaN FET(EPC225...
　　作者：Kenton Williston　　激光探測及測距 (LiDAR) 的應(yīng)用包括自主駕駛車輛、無人機、倉庫自動化和精準(zhǔn)農(nóng)業(yè)。在這些應(yīng)用中，大多都有人類參與其中，因此人們擔(dān)心 LiDAR 激光可能會對眼睛造成傷害。為防止此類傷害，汽車 LiDAR 系統(tǒng)必須符合 IEC 60825-1 1 類安全要求，同時發(fā)射功率不超過 200 W......
LiDA... GaN ... 自主駕駛...
2024-02-18
152
Analog Devices ltc7891-az評估板(LTC7891 100V降壓同步GaN場效應(yīng)管控制器)的介紹、特性、及應(yīng)用
Analog Devices ltc7891-az評估板(LTC7891 100...
Analog Devices公司EVAL-LTC7891-AZ評估板采用LTC7891 100V降壓同步GaN場效應(yīng)管控制器。LTC7891專門設(shè)計通過內(nèi)部優(yōu)化的自引導(dǎo)開關(guān)和智能死區(qū)時間控制，安全輕松地驅(qū)動高達(dá)100V的GaN場效應(yīng)管。分柵驅(qū)動器允許很容易地調(diào)節(jié)fet的接通和關(guān)斷。此外，該IC具有低IQ，高達(dá)3MHz可編程/同步開關(guān)頻率，......
LTC7... GaN場... EVAL...
2024-01-30
12
Analog Devices LT8418半橋GaN驅(qū)動器的介紹、特性、及應(yīng)用
Analog Devices LT8418半橋GaN驅(qū)動器的介紹、特性、及應(yīng)用
Analog Devices公司LT8418半橋GaN驅(qū)動器是一款100V器件，集成了頂部和底部驅(qū)動級，驅(qū)動邏輯控制和保護(hù)。驅(qū)動程序可以配置為同步半橋、全橋拓?fù)浠蚪祲骸⑸龎汉徒祲?升壓拓?fù)洹T8418提供強大的電流源/下沉能力，具有0.6歐姆上拉和0.2歐姆下拉電阻。它還集成了一個智能集成引導(dǎo)開關(guān)，從V(CC)產(chǎn)生一個平衡的引導(dǎo)電壓，并......
Anal... LT84... GaN驅(qū)...
2024-01-30
14
Analog Devices EVAL-LT8418-BZ評估板（LT8418半橋式GaN驅(qū)動器）的介紹、特性、及應(yīng)用
Analog Devices EVAL-LT8418-BZ評估板（LT8418半...
Analog Devices公司EVAL-LT8418-BZ評估板的特點是LT8418在半橋配置中驅(qū)動兩個100V增強型氮化鎵(eGaN)場效應(yīng)管。該電路被優(yōu)化為降壓變換器，但可以用作升壓變換器或由半橋組成的其他變換器拓?fù)洹Ｔu估電路提供高達(dá)10A，具有良好的熱管理。根據(jù)配置的不同，需要一個或兩個外部PWM信號來驅(qū)動電路板。在單輸入設(shè)置中，......
EVAL... LT84... GaN驅(qū)...
2024-01-22
17
88gan寬禁帶半導(dǎo)體材料基本特性、制造工藝、應(yīng)用場景以及未來發(fā)展趨勢
88gan寬禁帶半導(dǎo)體材料基本特性、制造工藝、應(yīng)用場景以及未來發(fā)展趨勢
摘要88gan是一種常用的元器件，具有廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。本文將從四個方面對88gan進(jìn)行詳細(xì)闡述，包括其基本特性、制造工藝、應(yīng)用場景以及未來發(fā)展趨勢。一、基本特性88gan是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電子特性。它具有高電子遷移率、高飽和漂移速度和較低的功耗等優(yōu)點。此外，88gan還具有較高的熱穩(wěn)定性和抗輻射能力，在極端環(huán)境下仍能保持穩(wěn)......
88ga... 寬禁帶半...
2023-08-15
16