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如何使用集成的GaN開關實現高效率、高性價比離線電源
如何使用集成的GaN開關實現高效率、高性價比離線電源
使用集成的GaN（氮化鎵）開關實現高效率、高性價比的離線電源，可以遵循以下步驟和策略：一、了解GaN開關的優勢GaN是一種寬帶隙（WBG）半導體材料，相比傳統的硅（Si）材料，GaN具有以下顯著優勢：低導通電阻：GaN器件在開啟和關閉期間具有更低的開關損耗。高擊穿強度：能夠承受更高的電壓，適合高功率應用。快速開關速度：有助于提高電源的動態......
GaN開... 離線電源
2021-09-27
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展品搶先看 | 歐陸通即將展出服務器電源、GaN器件PD/type-C電源等產品
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關于“歐陸通即將展出服務器電源、GaN器件PD/type-C電源等產品”的展品搶先看，我們可以從以下幾個方面進行概述：一、公司背景與實力歐陸通作為行業技術領軍企業，深耕開關電源領域二十多年，積極把握行業技術革命的重要方向，以前瞻性布局應對產業變化。公司緊抓AI產業變革帶來的新機遇，推動服務器產業鏈的升級，在研發創新、生產工藝等方面掌握了行......
服務器電... GaN器... type...
2021-09-23
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展品搶先看 | 建盟化學即將展出SiC/GaN/藍寶石/Si晶圓、環氧模塑料、貼片膠帶等產品
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針對“建盟化學即將展出SiC/GaN/藍寶石/Si晶圓、環氧模塑料、貼片膠帶等產品”的展品搶先看，我們可以從以下幾個方面進行概述：一、公司背景與實力東莞市建盟化學有限公司是一家專注于有機硅精細化學品應用技術解決方案的服務商。公司致力于為客戶提供最符合、貼切、全面的服務，幫助客戶提升品牌形象。建盟化學擁有專業的技術團隊和研發實驗室，能夠提供......
硅晶棒 碳化硅晶... 氮化鎵晶...
2021-09-23
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ST單片 GaN 柵極驅動器加速工業和家庭自動化并提高靈活性
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ST單片GaN柵極驅動器在加速工業和家庭自動化方面發揮了重要作用，并顯著提高了系統的靈活性和集成度。以下是關于ST單片GaN柵極驅動器在這一領域中的具體表現及其優勢：一、加速工業和家庭自動化1. 高性能與高效率ST單片GaN柵極驅動器，如STDRIVEG600等，具有出色的性能和高效率。這些驅動器能夠驅動GaN增強型FET高頻開關，具有大......
GaN柵... 分流電阻... UPS電...
2021-09-13
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ST 和Exagan開啟GaN發展新篇章
ST 和Exagan開啟GaN發展新篇章
ST（意法半導體）和Exagan開啟GaN（氮化鎵）發展新篇章，主要體現在以下幾個方面：一、技術合作與并購并購背景：ST在2020年3月簽署了協議，收購法國GaN供應商Exagan的多數股權。這一舉措是ST在功率化合物半導體領域長期承諾的延續，旨在推動GaN技術在汽車、工業和消費市場的應用。Exagan是一家在外延層生長技術方面具有獨特專......
硅制造晶... 柵極驅動... 遷移率晶...
2021-09-08
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意法半導體高能效功率變換應用，推出新的 45W和150W GaN 產品
意法半導體高能效功率變換應用，推出新的 45W和150W GaN 產品
意法半導體針對高能效功率變換應用，推出了新的45W和150W GaN（氮化鎵）產品，分別是MasterGaN3和MasterGaN5。這兩款產品作為集成功率系統封裝，為設計開關式電源、充電器、適配器、高壓功率因數校正(PFC)和DC/DC變換器的工程師提供了更多的選擇和靈活性。以下是關于這兩款產品的詳細介紹：一、產品特點高能效與小型化：G......
DC/D... 高壓柵極... 驅動信號...
2021-08-31
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50余款達國際一流水平的國產SiC SBD、SiCMOS、GaN HEMT及應用DEMO即將亮相PCIM展
50余款達國際一流水平的國產SiC SBD、SiCMOS、GaN HEMT及應用...
50余款達國際一流水平的國產SiC SBD（肖特基二極管）、SiC MOS（金屬氧化物半導體場效應晶體管）、GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）及應用DEMO即將亮相PCIM展（即深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會），這一消息體現了中國在第三代半導體材料和技術領域的顯著進步。以下是對這一事件的詳細解析：一、參展背景與意義PCI......
GaN功... 高壓工業... 半導體功...
2021-08-26
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貿澤備貨Qorvo QPD0011 GaN－on－SiC HEMT 賦能4G和5G通信應用
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英特爾推出獨立顯卡對于DIY玩家來說，確實是一個值得關注的事件，但也不能過早地高興。以下是對這一事件的詳細分析：一、英特爾獨立顯卡的推出背景英特爾作為CPU領域的巨頭，近年來在顯卡市場也有所動作。從1998年與Real3D合作推出的i740獨顯，到2009年流產的Larrabee獨顯，再到基于Xe架構的DG1獨顯，英特爾一直在嘗試進軍高性......
雙路放大... 遷移率晶... WCDM...
2021-08-24
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ST和Exagan攜手開啟GaN發展新章節
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ST（意法半導體）和Exagan攜手開啟GaN（氮化鎵）發展新章節，主要體現在以下幾個方面：一、背景與意義氮化鎵（GaN）作為一種III-V族寬能隙化合物半導體材料，因其獨特的物理特性（如3.4 eV的能隙和1,700 cm2/Vs的電子遷移率）而備受關注。相比硅基材料（能隙1.1 eV，電子遷移率1,400 cm2/Vs），GaN具有更......
遷移率晶... GaN功... 手機充電...
2021-08-24
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貿澤備貨Qorvo QPD0011 GaN-on-SiC HEMT 賦能4G和5G通信應用
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貿澤電子（Mouser Electronics）作為專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商，已經備貨了Qorvo的QPD0011 GaN-on-SiC HEMT（高電子遷移率晶體管），這一舉措旨在賦能4G和5G通信應用。以下是關于該產品的詳細介紹：一、產品特點技術領先：QPD0011是一款基于碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）......
微小區基... 蜂窩基站 碳化硅基...
2021-08-24
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Qorvo QPD0007 GaN RF晶體管的介紹、特性、及應用
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Qorvo QPD0007 GaN RF晶體管是一款高性能的射頻晶體管，以下是對其介紹、特性及應用的詳細分析：一、介紹Qorvo QPD0007 GaN RF晶體管是一款采用DFN封裝的單路徑離散碳化硅基氮化鎵高電子遷移率晶體管（HEMT）。該晶體管以其出色的性能和廣泛的應用領域在射頻領域備受關注。Qorvo作為射頻解決方案的領先供應商，......
Qorv... QPD0... 氮化鎵射...
2021-08-23
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基于GaN芯片的電源轉換方案設計
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基于GaN（氮化鎵）芯片的電源轉換方案設計，主要利用了GaN功率器件的高性能、高開關頻率以及集成化等優勢。以下是對該方案設計的詳細闡述：一、GaN芯片在電源轉換中的優勢高性能：GaN功率器件具有高電子遷移率，適用于高開關頻率，能夠承受更大的負載同時減少損耗，從而提高電源轉換的效率。高開關頻率：GaN晶體管的高開關速度使得電源轉換系統能夠更......
GaN芯... 降壓轉換... P溝道器...
2021-08-17
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上海瀚鎵半導體將建4英寸GaN中試線
上海瀚鎵半導體將建4英寸GaN中試線
上海瀚鎵半導體將建4英寸GaN中試線的相關信息如下：一、項目背景項目名稱：瀚鎵GaN自支撐晶圓制造關鍵技術研發與產業化項目建設內容：4英寸GaN高質量自支撐晶圓的研發及中試環評公示時間：2021年8月9日（據浦東時報報道）二、公司概況公司名稱：上海瀚鎵半導體科技有限公司成立時間：2020年8月注冊資本：500萬元人民幣法定代表人：何哲強公......
GaN晶... 加州大學 集成電路...
2021-08-11
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如何使用集成GaN開關實現高效率、經濟高效的離線電源
如何使用集成GaN開關實現高效率、經濟高效的離線電源
使用集成GaN（氮化鎵）開關實現高效率、經濟高效的離線電源，需要綜合考慮多個方面，包括GaN的優勢、設計挑戰以及具體實施方案。以下是一步一步的指導：一、GaN的優勢GaN是一種寬帶隙（WBG）半導體材料，與傳統的硅（Si）功率開關相比，具有顯著的優勢：低導通電阻：GaN器件在開啟和關閉期間具有更低的開關損耗，這使得在既定芯片尺寸下，GaN......
GaN開... 離線電源
2021-08-02
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科銳GaN-on-SiC功率放大器結合MaxLinear線性化技術，高效賦能新型超寬帶5G
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科銳（Cree）的GaN-on-SiC功率放大器與MaxLinear的線性化技術的結合，為新型超寬帶5G提供了高效賦能。以下是對這一組合的詳細解析：一、技術背景GaN-on-SiC功率放大器：GaN（氮化鎵）是一種新型的半導體材料，具有高電子遷移率、高飽和電子速度和高熱導率等優點，非常適合用于高頻、大功率的射頻應用。SiC（碳化硅）作為襯......
中頻功率... 5G頻譜 MIMO...
2021-07-07
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Microchip推出用于衛星通信終端的高線性度Ka波段單片微波集成電路（MMIC），進一步豐富氮化鎵（GaN）射頻產品組合
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Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）推出的用于衛星通信終端的高線性度Ka波段單片微波集成電路（MMIC），是其氮化鎵（GaN）射頻產品組合中的一項重要創新。以下是對該產品的詳細介紹：一、產品背景與意義隨著衛星通信技術的不斷發展，通信系統需要采用更復雜的調制方案以實現極快的數據速率，用于傳遞視頻和寬帶數據。......
氮化鎵單... 射頻功率... 國防衛星...
2021-06-23
19
transhorm 650V GaN fet TO-247封裝的介紹、特性、及應用
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您想了解的可能是Transphorm公司的650V GaN FET TO-247封裝產品，以下是對其介紹、特性及應用的詳細闡述：一、介紹Transphorm是全球領先的氮化鎵（GaN）功率半導體供應商，其推出的650V GaN FET TO-247封裝產品，如TP65H035G4YS和TP65H050G4YS，是針對高功率服務器、可再生能......
tran... GaN ... TO-2...
2021-06-21
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JPMorgan：2025年數據中心市場X86架構仍將占據90%份額
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關于JPMorgan（小摩）提出的“2025年數據中心市場X86架構仍將占據90%份額”的觀點，以下是對該預測的分析：一、預測背景JPMorgan作為一家全球知名的投資銀行，其研究報告通常基于深入的市場分析和數據支持。因此，該預測在一定程度上反映了數據中心市場的發展趨勢和技術架構的演變。二、X86架構的優勢技術成熟：X86架構已經發展了數......
x86架... 云端運算... 伺服器
2021-06-04
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意法半導體發布MasterGaN參考設計并演示250W無散熱器諧振變換器
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意法半導體發布的MasterGaN參考設計及其演示的250W無散熱器諧振變換器，是半導體技術領域的一項重要創新。以下是對該產品的詳細介紹：一、產品概述意法半導體推出的MasterGaN參考設計，展示了新款高集成度器件如何提高功率密度、能效，簡化產品設計，并縮短上市時間。其中，EVLMG1-250WLLC參考設計是一個250W諧振變換器，它......
諧振變換... DC/A... GaN晶...
2021-05-19
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意法半導體發布高性能車規級GaN產品系列
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意法半導體（STMicroelectronics）確實發布了高性能車規級GaN（氮化鎵）產品系列。以下是對該系列產品的詳細介紹：一、產品概述意法半導體是全球領先的半導體公司，致力于提供與日常生活息息相關的智能、高能效的產品及解決方案。其發布的高性能車規級GaN產品系列，旨在滿足汽車行業在電動化大趨勢下的需求，為市場提供一系列獨一無二的可擴......
D類放大... 車載充電... 保護電路
2021-05-14
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