您現(xiàn)在的位置： 首頁 > 標(biāo)簽 > 臺(tái)積電
臺(tái)積電
臺(tái)積電
相關(guān)文章 : 145篇 瀏覽 : 3021次

半導(dǎo)體分析機(jī)構(gòu)：阿斯麥 ASML 是英特爾追上臺(tái)積電的“救世主”
半導(dǎo)體分析機(jī)構(gòu)：阿斯麥 ASML 是英特爾追上臺(tái)積電的“救世主”
半導(dǎo)體分析機(jī)構(gòu)認(rèn)為阿斯麥（ASML）對(duì)于英特爾追上臺(tái)積電具有關(guān)鍵作用，這一觀點(diǎn)主要基于以下幾個(gè)方面：一、技術(shù)領(lǐng)先性的重要性1. EUV技術(shù)的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)：臺(tái)積電在EUV（極紫外光刻）工具數(shù)量和經(jīng)驗(yàn)方面遙遙領(lǐng)先于英特爾。EUV技術(shù)是先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的關(guān)鍵，對(duì)于提升芯片制造精度和性能至關(guān)重要。當(dāng)年ASML在EUV技術(shù)拓展上遇到困難時(shí)，蘋果通過向臺(tái)積電......
光刻機(jī) 三星 晶體管
2021-09-14
24
中國信通院院長(zhǎng)談全球缺芯：手機(jī)芯片供貨周期延長(zhǎng)至 12 個(gè)月，射頻前端需求增長(zhǎng)超 50%
中國信通院院長(zhǎng)談全球缺芯：手機(jī)芯片供貨周期延長(zhǎng)至 12 個(gè)月，射頻前端需求增長(zhǎng)超...
中國信息通信研究院院長(zhǎng)關(guān)于全球缺芯問題的談?wù)?，主要聚焦于手機(jī)芯片供貨周期的延長(zhǎng)以及射頻前端需求的顯著增長(zhǎng)。以下是對(duì)這一話題的詳細(xì)分析：一、手機(jī)芯片供貨周期延長(zhǎng)背景與現(xiàn)狀：供貨周期延長(zhǎng)：據(jù)中國信息通信研究院院長(zhǎng)余曉暉指出，由于全球范圍內(nèi)的“缺芯危機(jī)”，手機(jī)芯片的供貨周期已經(jīng)從原先的3個(gè)月顯著延長(zhǎng)至12個(gè)月。這一現(xiàn)象表明，全球芯片供應(yīng)鏈正面臨......
射頻前端 臺(tái)積電 數(shù)字終端
2021-09-14
29
臺(tái)積電看好氮化鎵未來商機(jī)，關(guān)注五大應(yīng)用場(chǎng)景
臺(tái)積電看好氮化鎵未來商機(jī)，關(guān)注五大應(yīng)用場(chǎng)景
臺(tái)積電確實(shí)看好氮化鎵（GaN）未來的商機(jī)，并專注于氮化鎵相關(guān)技術(shù)的開發(fā)。氮化鎵作為一種寬能隙半導(dǎo)體材料，因其優(yōu)異的性能在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。臺(tái)積電關(guān)注的氮化鎵五大應(yīng)用場(chǎng)景主要包括：快充：氮化鎵的高頻、高效能特性使其成為快充技術(shù)的理想選擇。通過采用氮化鎵材料，可以設(shè)計(jì)出更小、更輕、效率更高的充電器，滿足消費(fèi)者對(duì)快速充電和便攜性的需......
太陽能電... 電動(dòng)車 氮化鎵
2021-09-09
18
聯(lián)發(fā)科天璣 2000 新爆料：基于臺(tái)積電 4nm，采用 ARM V9 架構(gòu)及 Cortex-X2 內(nèi)核
聯(lián)發(fā)科天璣 2000 新爆料：基于臺(tái)積電 4nm，采用 ARM V9 架構(gòu)及 C...
聯(lián)發(fā)科天璣2000（盡管最終發(fā)布的產(chǎn)品可能是天璣9000，但根據(jù)當(dāng)時(shí)的爆料信息）是一款備受期待的旗艦處理器，其基于臺(tái)積電4nm工藝制造，并采用ARMV9架構(gòu)及Cortex-X2內(nèi)核。以下是對(duì)該處理器新爆料的詳細(xì)解析：制造工藝臺(tái)積電4nm：天璣2000采用了臺(tái)積電最先進(jìn)的4nm工藝制程，這種工藝在提升處理器性能的同時(shí)，也顯著降低了功耗，使得......
手機(jī)處理... 聯(lián)發(fā)科 4ｎｍ處...
2021-09-08
3
2021 年 Q2 全球晶圓代工廠排名：臺(tái)積電、三星前二，中芯國際第五
2021 年 Q2 全球晶圓代工廠排名：臺(tái)積電、三星前二，中芯國際第五
2021年第二季度全球晶圓代工廠排名中，臺(tái)積電和三星穩(wěn)居前兩位，而中芯國際則位列第五。以下是對(duì)該排名的詳細(xì)分析：一、排名概況臺(tái)積電：繼續(xù)穩(wěn)坐全球晶圓代工廠收入排名的榜首位置。盡管受到一些意外事件（如南科Fab14 P7廠區(qū)跳電和高雄興達(dá)電廠跳電）的影響，導(dǎo)致其部分晶圓報(bào)廢，但臺(tái)積電憑借其強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力和市場(chǎng)份額，仍然保持了領(lǐng)先地位。三星：......
力積電 華虹集團(tuán) 格芯
2021-09-07
6
臺(tái)積電全面漲價(jià)10-20%，但對(duì)最大客戶蘋果漲幅僅3%
臺(tái)積電全面漲價(jià)10-20%，但對(duì)最大客戶蘋果漲幅僅3%
　　臺(tái)積電作為全球最大的半導(dǎo)體代工制造商，其漲價(jià)行為對(duì)整個(gè)科技產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生了深遠(yuǎn)的影響。盡管臺(tái)積電對(duì)大多數(shù)客戶實(shí)施了10-20%的全面漲價(jià)，但對(duì)于其最大客戶蘋果，漲幅卻僅為3%。這種差異化的定價(jià)策略背后有著多方面的考量?！　∈紫?，蘋果作為臺(tái)積電的最大客戶，占據(jù)了臺(tái)積電相當(dāng)大比例的產(chǎn)能。給予蘋果較低的漲幅，有助于維護(hù)這一重要客戶的合作關(guān)系，確保......
臺(tái)積電 晶圓廠設(shè)... 組裝
2021-09-06
8
十大半導(dǎo)體廠設(shè)備投資將增三成，臺(tái)積電、英特爾、三星占七成
十大半導(dǎo)體廠設(shè)備投資將增三成，臺(tái)積電、英特爾、三星占七成
關(guān)于“十大半導(dǎo)體廠設(shè)備投資將增三成，臺(tái)積電、英特爾、三星占七成”的表述，需要結(jié)合多個(gè)來源的信息進(jìn)行綜合分析。首先，關(guān)于“十大半導(dǎo)體廠設(shè)備投資將增三成”的表述，這并非一個(gè)當(dāng)前時(shí)點(diǎn)的確切信息，而是基于過去某個(gè)時(shí)間點(diǎn)的預(yù)測(cè)或?qū)嶋H數(shù)據(jù)。然而，半導(dǎo)體行業(yè)的投資情況會(huì)隨著時(shí)間、市場(chǎng)狀況、技術(shù)進(jìn)步以及政策環(huán)境等多種因素的變化而波動(dòng)。因此，在回答這個(gè)問題......
英特爾 聯(lián)電 三星
2021-09-02
14
消息稱臺(tái)積電已推出用于數(shù)據(jù)中心芯片的先進(jìn)封裝技術(shù)
消息稱臺(tái)積電已推出用于數(shù)據(jù)中心芯片的先進(jìn)封裝技術(shù)
臺(tái)積電在半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域一直處于領(lǐng)先地位，并且針對(duì)數(shù)據(jù)中心芯片等特定應(yīng)用推出了先進(jìn)的封裝技術(shù)。關(guān)于臺(tái)積電已推出的用于數(shù)據(jù)中心芯片的先進(jìn)封裝技術(shù)，可以從以下幾個(gè)方面進(jìn)行概述：一、技術(shù)概述臺(tái)積電在數(shù)據(jù)中心芯片封裝方面主要采用了其先進(jìn)的封裝技術(shù)平臺(tái)，如3DFabric技術(shù)組合，這包括TSMC-SoIC?、CoWoS?和InFO等三大平臺(tái)。這些......
數(shù)字信號(hào)... SiPH... 光電共封...
2021-09-02
16
臺(tái)積電擬推性價(jià)比款 3nm 方案：AMD、英特爾等第二波客戶有望采用
臺(tái)積電擬推性價(jià)比款 3nm 方案：AMD、英特爾等第二波客戶有望采用
臺(tái)積電擬推性價(jià)比款3nm方案，這一舉措旨在滿足更多客戶對(duì)高性能與成本效益兼顧的需求。以下是對(duì)該方案的詳細(xì)分析：一、方案背景隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進(jìn)步，臺(tái)積電在3nm工藝技術(shù)上取得了顯著成就。然而，由于先進(jìn)制程的復(fù)雜性和高昂的制造成本，不是所有客戶都能承受原規(guī)格的3nm工藝。因此，臺(tái)積電計(jì)劃推出性價(jià)比更高的改款3nm方案，以吸引包括AMD、英......
iPho... 臺(tái)積電 4nm制...
2021-09-02
10
臺(tái)積電漲價(jià)：半導(dǎo)體設(shè)備、晶圓廠受益，IC 設(shè)計(jì)廠面臨壓力
臺(tái)積電漲價(jià)：半導(dǎo)體設(shè)備、晶圓廠受益，IC 設(shè)計(jì)廠面臨壓力
臺(tái)積電漲價(jià)，特別是針對(duì)先進(jìn)制程（如3nm、5nm）和先進(jìn)封裝的價(jià)格調(diào)整，反映出其對(duì)產(chǎn)能擴(kuò)張和技術(shù)升級(jí)的持續(xù)投入。這種投入必然伴隨著對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備的大量采購，包括光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、薄膜沉積設(shè)備等。因此，半導(dǎo)體設(shè)備廠商將直接受益于臺(tái)積電的擴(kuò)產(chǎn)需求，訂單量有望增加，進(jìn)而推動(dòng)其業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)。二、晶圓廠受益臺(tái)積電作為全球領(lǐng)先的晶圓代工廠商，其漲價(jià)行為往往能......
半導(dǎo)體設(shè)... 硅晶 聯(lián)發(fā)科
2021-09-01
14
不只提高報(bào)價(jià)，消息稱臺(tái)積電將與設(shè)備和材料供應(yīng)商就明年降價(jià) 15% 談判
不只提高報(bào)價(jià)，消息稱臺(tái)積電將與設(shè)備和材料供應(yīng)商就明年降價(jià) 15% 談判
關(guān)于“臺(tái)積電將與設(shè)備和材料供應(yīng)商就明年降價(jià)15%談判”的消息，我們可以從以下幾個(gè)方面進(jìn)行解析：一、背景信息消息來源：這一消息最初由業(yè)內(nèi)消息人士透露，并得到了多家媒體的報(bào)道，如百家號(hào)、國際技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究所（國務(wù)院發(fā)展研究中心國際技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究所）等。時(shí)間背景：雖然您提到的消息沒有具體指明是哪一年的“明年”，但根據(jù)參考文章的時(shí)間戳（如2021年8......
晶圓代工 臺(tái)積電 AMD
2021-09-01
25
臺(tái)積電先進(jìn)工藝遇難題，蘋果明年 iPhone 新機(jī)恐難采用 3nm 芯片
臺(tái)積電先進(jìn)工藝遇難題，蘋果明年 iPhone 新機(jī)恐難采用 3nm 芯片
臺(tái)積電在先進(jìn)工藝的研發(fā)上確實(shí)面臨了一些難題，尤其是在3nm工藝上。這些難題對(duì)蘋果的iPhone新機(jī)采用3nm芯片產(chǎn)生了潛在的影響。以下是對(duì)這一問題的詳細(xì)分析：一、臺(tái)積電3nm工藝的困境量產(chǎn)延遲：臺(tái)積電原本計(jì)劃在特定時(shí)間量產(chǎn)3nm工藝（也稱為N3），但由于多種原因，量產(chǎn)被延遲了大約3到4個(gè)月。這種延遲直接影響了其客戶的產(chǎn)品規(guī)劃，包括蘋果。臺(tái)......
驍龍89... 臺(tái)積電 高通
2021-08-31
16
業(yè)內(nèi)曝三星 3nm GAA 存在漏電等關(guān)鍵技術(shù)問題，難與臺(tái)積電匹敵
業(yè)內(nèi)曝三星 3nm GAA 存在漏電等關(guān)鍵技術(shù)問題，難與臺(tái)積電匹敵
業(yè)內(nèi)曝出三星3nm GAA存在漏電等關(guān)鍵技術(shù)問題，這確實(shí)對(duì)三星在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力產(chǎn)生了影響，使其在與臺(tái)積電的競(jìng)爭(zhēng)中面臨挑戰(zhàn)。以下是對(duì)此問題的詳細(xì)分析：一、三星3nm GAA技術(shù)面臨的問題漏電問題：漏電是半導(dǎo)體工藝中常見的問題之一，但在先進(jìn)制程中尤為重要。據(jù)報(bào)道，三星的3nm GAA工藝存在漏電問題，這可能會(huì)導(dǎo)致芯片功耗增加，發(fā)熱嚴(yán)重......
處理器 iPho... 晶體管
2021-08-31
20
分析師：缺芯或持續(xù)至 2023 年，預(yù)計(jì)未來將一波波出現(xiàn)
分析師：缺芯或持續(xù)至 2023 年，預(yù)計(jì)未來將一波波出現(xiàn)
分析師對(duì)于全球芯片短缺可能持續(xù)至2023年的預(yù)測(cè)，反映了當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)面臨的復(fù)雜局勢(shì)和多重挑戰(zhàn)。這種短缺現(xiàn)象是多種因素交織的結(jié)果，包括但不限于以下幾個(gè)方面：需求激增：隨著全球數(shù)字化轉(zhuǎn)型的加速，尤其是5G、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、云計(jì)算等新興技術(shù)的快速發(fā)展，對(duì)芯片的需求急劇增加。消費(fèi)電子、汽車電子、工業(yè)控制、數(shù)據(jù)中心等多個(gè)領(lǐng)域都面臨芯片供應(yīng)不足的......
臺(tái)積電 蘋果 電子產(chǎn)品
2021-08-31
30
三星：3nm GAA技術(shù)已領(lǐng)先，取代臺(tái)積電指日可待！
三星：3nm GAA技術(shù)已領(lǐng)先，取代臺(tái)積電指日可待！
關(guān)于三星宣稱其3nm GAA技術(shù)已領(lǐng)先，并認(rèn)為取代臺(tái)積電指日可待的論斷，我們可以從以下幾個(gè)方面進(jìn)行分析：一、三星3nm GAA技術(shù)的優(yōu)勢(shì)技術(shù)先進(jìn)性：三星在3nm領(lǐng)域采用了GAA（Gate-All-Around）架構(gòu)，這是一種比傳統(tǒng)FinFET更為先進(jìn)的晶體管設(shè)計(jì)。GAA架構(gòu)的晶體管在同等尺寸結(jié)構(gòu)下，溝道控制能力更強(qiáng)，尺寸進(jìn)一步微縮的可能性......
GAA制... 晶體管架... 高端人工...
2021-08-30
20
大摩：臺(tái)積電漲價(jià)將影響 24 家芯片公司
大摩：臺(tái)積電漲價(jià)將影響 24 家芯片公司
大摩（摩根士丹利）關(guān)于臺(tái)積電漲價(jià)將影響24家芯片公司的觀點(diǎn)，主要基于臺(tái)積電作為晶圓代工龍頭的市場(chǎng)地位和其對(duì)芯片產(chǎn)業(yè)鏈的重要影響。以下是對(duì)該觀點(diǎn)的詳細(xì)分析：一、臺(tái)積電漲價(jià)的背景臺(tái)積電作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造公司，其代工服務(wù)在芯片行業(yè)中占據(jù)重要地位。近年來，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進(jìn)步和市場(chǎng)需求的變化，臺(tái)積電的成本結(jié)構(gòu)也在發(fā)生變化，這直接影響了其......
納米 聯(lián)發(fā)科 臺(tái)積電
2021-08-27
15
傳臺(tái)積電四季度將全面漲價(jià)！12nm以下先進(jìn)制程漲10%，12nm以上成熟制程漲20%
傳臺(tái)積電四季度將全面漲價(jià)！12nm以下先進(jìn)制程漲10%，12nm以上成熟制程漲2...
關(guān)于“臺(tái)積電四季度將全面漲價(jià)，12nm以下先進(jìn)制程漲10%，12nm以上成熟制程漲20%”的傳言，我們需要結(jié)合多方面的信息來進(jìn)行分析。首先，這一傳言在多個(gè)時(shí)間點(diǎn)都有提及，但具體是否會(huì)在四季度全面漲價(jià)，以及漲價(jià)的幅度，需要以臺(tái)積電官方發(fā)布的消息為準(zhǔn)。不過，從歷史數(shù)據(jù)和行業(yè)趨勢(shì)來看，臺(tái)積電作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造企業(yè)，其代工報(bào)價(jià)受到市場(chǎng)需求、......
力積電 晶圓 A15處...
2021-08-26
20
臺(tái)積電、聯(lián)華電子、世界先進(jìn)三季度累計(jì)營收預(yù)計(jì)環(huán)比增長(zhǎng) 10%
臺(tái)積電、聯(lián)華電子、世界先進(jìn)三季度累計(jì)營收預(yù)計(jì)環(huán)比增長(zhǎng) 10%
關(guān)于臺(tái)積電、聯(lián)華電子（通常稱為聯(lián)電）和世界先進(jìn)三季度累計(jì)營收預(yù)計(jì)環(huán)比增長(zhǎng)10%的情況，我們可以從以下幾個(gè)方面進(jìn)行分析：一、歷史數(shù)據(jù)與趨勢(shì)歷史數(shù)據(jù)：在之前的報(bào)道中，有提及這三家芯片代工商在某些季度的營收情況。例如，有報(bào)道指出在2021年三季度，這三家公司的累計(jì)營收預(yù)計(jì)環(huán)比增長(zhǎng)10%（參考文章5）。然而，這一數(shù)據(jù)是基于2021年的情況，與當(dāng)前......
臺(tái)積電 消費(fèi)電子 聯(lián)華電子
2021-08-26
37
成本可降低30%！臺(tái)積電美國5nm廠將采用“臺(tái)灣制造、美國組裝”模式
成本可降低30%！臺(tái)積電美國5nm廠將采用“臺(tái)灣制造、美國組裝”模式
臺(tái)積電美國5nm廠將采用“臺(tái)灣制造、美國組裝”模式，這一策略旨在顯著降低建廠成本，預(yù)計(jì)成本可降低30%左右。以下是對(duì)該模式的詳細(xì)分析：一、背景與動(dòng)機(jī)建廠成本高昂：臺(tái)積電在美國亞利桑那州建設(shè)5nm晶圓廠的投資金額高達(dá)120億美元。然而，由于美國土地使用成本、人工成本以及運(yùn)輸條件等因素，建廠成本遠(yuǎn)高于在臺(tái)灣的預(yù)期。無塵室等基礎(chǔ)建設(shè)工程費(fèi)用高昂......
制程排氣... MEP 臺(tái)積電
2021-08-25
6
消息稱聯(lián)電將上調(diào) 22/28nm 報(bào)價(jià)，明年 Q1 將首次趕超臺(tái)積電
消息稱聯(lián)電將上調(diào) 22/28nm 報(bào)價(jià)，明年 Q1 將首次趕超臺(tái)積電
關(guān)于聯(lián)電將上調(diào)22/28nm報(bào)價(jià)，并計(jì)劃在明年第一季度（假設(shè)的“明年”指的是信息發(fā)布的下一年，但在此我們根據(jù)當(dāng)前時(shí)間進(jìn)行調(diào)整）的報(bào)價(jià)首次趕超臺(tái)積電的說法，我結(jié)合多方信息為您進(jìn)行分析：一、聯(lián)電上調(diào)報(bào)價(jià)的情況1. 歷史報(bào)道：早在2021年8月，有消息指出聯(lián)電已通知客戶其28nm和22nm工藝制造的價(jià)格將在多個(gè)時(shí)間點(diǎn)上調(diào)，包括2021年的9月、......
聯(lián)發(fā)科 聯(lián)詠 晶圓
2021-08-25
3