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小信號MOSFET橋驅動設計MC34063擴流降壓電路設計方案
小信號MOSFET橋驅動設計MC34063擴流降壓電路設計方案
　　小信號MOSFET橋驅動設計MC34063擴流降壓電路設計方案　　以下是一個簡單的擴流降壓電路的設計概述：　　材料清單：　　MC34063 DC-DC升降壓轉換器芯片　　小信號N溝道MOSFET(用于橋驅動)　　輸入電源　　擴流負載　　其他必要的電子元件(電容、電阻等)　　電路設計步驟：　　確定輸入電源電壓和輸出電壓要求。MC3406......
MOSF... MC34... 擴流降壓...
2023-06-30
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英飛凌科技BTS7002-1EPPEB PROFET+2評估板的介紹、特性、及應用
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　　英飛凌科技BTS7002-1EPPEB PROFET+2評估板(PROF2BTS70021EPPEBTOBO1)為BTS7002-1EPP PROFET +2交換機提供了一個獨立的演示平臺。BTS7002-1EPP是AEC-Q100一級高側開關，具有診斷和嵌入式保護功能。該設備具有ReverseON的特點，在反向極性下功耗低。BT......
英飛凌科... BTS7... 高側開關
2023-06-12
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Nexperia 50V/55V mosfet適用于36V直流電機的介紹、特性、及應用
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　　Nexperia 50V/55V mosfet用于36V直流電機提供330A或410A的連續電流LFPAK88封裝。邏輯電平，門驅動，n通道增強模式mosfet是電池隔離和直流電機控制家族的mosfet成員。該器件使用Nexperia獨特的“SchottkyPlus”技術，提供高效率和低峰值性能，通常與集成肖特基或肖特基類二極管的m......
Nexp... 直流電機 LFPA...
2023-04-20
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onsemi nntbg022n120m3s 1200V M3S系列SiC MOSFET的介紹、特性、及應用
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　　M3S系列SiC(碳化硅)MOSFET為快速開關應用進行了優化，并提供了一個低22毫歐漏源通電阻。M3S系列SiC mosfet在使用18V柵驅動時提供最佳性能，但在使用15V柵驅動時也工作良好。該器件采用平面技術，工作可靠的負柵電壓驅動和關閉柵上的尖峰。　　onsemi NTBG022N120M3S 1200V M3S系列SiC ......
ONSE... nntb... SiC ...
2023-04-18
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德州儀器CSD95430同步Buck NexFET 功率級的介紹、特性、及應用
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　　德州儀器CSD95430同步降壓NexFET 功率級是一款高度優化的設計，可與大功率、高密度同步降壓轉換器一起使用。該器件集成了驅動IC和功率mosfet，完成功率級切換功能。這種組合在一個5mm × 6mm的小外形封裝中產生了高電流、高效率和高速開關能力。電源級還集成了精確的電流傳感和溫度傳感功能，以簡化系統設計并提高精度。此外......
德州儀器 CSD9... NexF...
2023-04-14
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onsemi NXH0x0F120MNF1 SiC mosfet的介紹、特性、及應用
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　　onsemi NXH0x0F120MNF1 SiC mosfet是在F1包中包含一個全橋和一個熱敏電阻的電源模塊。這些mosfet具有熱敏電阻和壓合銷。NXH0x0F120MNF1模塊提供預應用熱接口材料(TIM)和不預應用TIM選項。這些模塊理想地用于太陽能逆變器，不間斷電源，電動汽車充電站和工業電源。NXH0x0F120MNF1......
ONSE... NXH0... SiC ...
2023-04-12
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德州儀器CSD96415同步降壓NexFET 功率級的介紹、特性、及應用
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　　德州儀器CSD96415同步降壓NexFET 功率級是一種高度優化的設計，適用于大功率、高密度同步降壓轉換器。該產品集成驅動IC和功率mosfet，完成功率級開關功能。這種組合在一個5mm × 6mm的小外形封裝中產生了高電流、高效率和高速開關能力。它還集成了精確的電流傳感和溫度傳感功能，以簡化系統設計并提高精度。此外，德州儀器C......
德州儀器 CSD9... NexF...
2023-04-07
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ZXMS81045SP IntelliFET 高側電源開關的介紹、特性、及應用
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　　ZXMS81045SP IntelliFET 高側功率開關在SO-8EP (E型)外露散熱器封裝中結合了保護和診斷功能。ZXMS81045SP提供單片n通道垂直功率MOSFET，集成溫度和電流傳感器，帶有電荷泵浦門電源。它有一個低靜態電流在關閉狀態。該開關由主動高3.3V和5V邏輯電平驅動到輸入端使能。　　二極管公司ZXMS8104......
ZXMS... Inte... 高側電源...
2023-04-03
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DMTH46M7SFVWQ n通道增強模式MOSFET的介紹、特性、及應用
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　　DMTH46M7SFVWQ n通道增強模式MOSFET是一種AEC-Q101合格的MOSFET，具有低R(DS(ON))，確保最小的導通損耗。這種MOSFET具有優秀的QGD ×R(DS(ON))產品(FOM)和可濕性側面，用于改進光學檢查。DMTH46M7SFVWQ MOSFET是無鉛的，符合rohs標準，并支持生產部件批準流......
DMTH... MOSF...
2023-03-31
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英飛凌科技BTG7090-2EPL PROFET Load Guard 智能高側電源開關的介紹、特性、及應用
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　　英飛凌BTG7090-2EPL PROFET Load Guard是一款智能高側電源開關，提供保護功能和增強的診斷能力。BTG7090-2EPL配備可調過流限制，為保護系統提供高可靠性。該特性確保PCB軌跡、連接器和負載在接地短路的情況下得到保護。BTG7090-2EPL還具有容性負載開關模式，用于對大容性負載充電，并在電容器接通時......
BTG7... 智能高側... 英飛凌科...
2023-03-16
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AEC-Q n通道功率mosfet L-TOGL 封裝的介紹、特性、及應用
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　　東芝的40 V n通道功率mosfet XPQR3004PB和XPQ1R004PB通過將高散熱封裝L-TOGL(大型晶體管輪廓鷗翼引線)與U-MOS IX-H芯片工藝相結合，實現了超低導通電阻，高漏極電流額定值和高散熱。　　L-TOGL封裝在尺寸上與現有的to - 220sm (W)封裝相當，但是，XPQR3004PB大大提高了電流......
東芝 XPQR... XPQ1...
2023-03-02
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第2代SGT MOSFET用于DC/DC轉換器的介紹、特性、及應用
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　　PANJIT的第二代屏蔽柵溝槽(SGT) MOSFET具有優異的性能系數(FOM)質量，為磚型模塊中的DC/DC變換器拓撲提供了高效的設計解決方案。該100v SGT系列提供18個標準和17個邏輯級部件。PANJIT的晶圓技術使第2代SGT mosfet能夠產生低柵電荷和R(DS(ON))，以最大限度地減少傳導損耗，并創建優秀的......
Panj... MOSF... DC/D...
2023-03-02
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LSK489系列n通道JFET的介紹、特性、及應用
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　　線性集成系統公司的LSK489超低噪聲雙結場效應晶體管(JFET)經過優化，可用于高端傳感器前端放大設計，共模抑制比超過100 dB。它提供了緊密的差分電壓與電流匹配，提高運算放大器的速度穩定時間精度，最小的輸入誤差微調誤差電壓，以及由于低輸入電容而降低的互調失真。LSK489A和LSK489B版本按IDSS范圍分級，未分級的版本為......
LSK4... 場效應晶... JFET
2023-03-02
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二極管合并AP74700Q理想二極管MOSFET控制器的介紹、特性、及應用
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　　　　二極管。AP74700Q理想二極管MOSFET控制器是一種汽車兼容的設備，當與適當的外部n通道功率MOSFET使用時，在單向功率路徑和反向電壓中提供低損耗20mV正向壓降整流器。AP74700Q支持3.2V到65V的廣泛輸入工作范圍，允許控制許多流行的直流軌道電壓，如12V, 24V或更高的汽車電池系統。3.2V輸入電壓支持適用......
AP74... 理想二極... MOSF...
2023-02-15
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MOSFET對使單刀雙擲開關變得簡單
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　　借助 n 溝道和 p 溝道 MOSFET，您可以輕松地實現單刀雙擲 (SPDT) 開關，以隔離電路的一部分，并在電路其余部分關閉時從次級電源為其供電，以便待機工作 (圖1 ).通過使用互補對，您可以對 MOSFET 使用單個控制輸入。這種拓撲結構中的Si4501DY MOSFET的主元件在5A時表現出小于0.1V的壓降，并且兩個M......
2N70... MOSF... 雙擲開關
2023-02-02
24
單MOSFET電路柵極和調制
單MOSFET電路柵極和調制
　　立式小信號MOSFET至今仍有用途，本設計理念提出了兩個簡單的例子：AND柵極和幅度調制器。　　圖1 圖中顯示了標準雙輸入AND柵極及其MOSFET(以及單電阻或雙電阻)實現。　　　　圖1 雙輸入和柵極 (a) 和 MOSFET 實現 (b)　　輸入 A 和輸入 B 在這里連接　　　　到由 15V 電池供電的單極開關。輸入A連接到MO......
MOSF...
2023-02-02
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Rectron RM2312 n通道增強模式功率MOSFET的介紹、特性、及應用
Rectron RM2312 n通道增強模式功率MOSFET的介紹、特性、及應用...
　　　　Rectron RM2312 n通道增強模式功率MOSFET使用先進的溝槽技術提供優秀的R(DS(ON))。MOSFET具有低柵電荷和低至2.5V柵電壓的工作特性。該裝置適用于電池保護或其他開關應用。　　特性　　V(ds) = 20v, i (d) 4.5a　　R(DS(ON))小于45毫歐 @ V(GS)=1.8V　　R(DS......
Rect... RM23... MOSF...
2023-01-11
13
采用碳化硅JFET實現完美開關
采用碳化硅JFET實現完美開關
用碳化硅（SiC）JFET實現完美開關的優勢主要體現在其堅固耐用、高能量雪崩和短路耐受額定值，以及卓越的電氣性能上。以下是關于碳化硅JFET在開關應用中的關鍵特點和優勢：堅固耐用與高能量耐受：碳化硅JFET具有出色的堅固耐用性，能夠承受高能量雪崩和短路情況，這使其在各種惡劣環境中都能保持穩定的性能。它們的能量耐受額定值高，意味著在高負載和......
碳化硅 JFET 堆疊芯片
2022-12-20
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碳化硅 MOSFET 吹捧格紋嵌入式肖特基二極管
碳化硅 MOSFET 吹捧格紋嵌入式肖特基二極管
碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）在電力電子領域的應用中，因其出色的物理特性而備受矚目。格紋嵌入式肖特基二極管（Schottky Barrier Diode, SBD）的引入，為碳化硅MOSFET的性能提升帶來了顯著的效果。以下是關于碳化硅MOSFET及其格紋嵌入式肖特基二極管的詳細分析：一、碳化硅MOSFET的優勢高溫工作特性：......
東芝 肖特基二... 碳化硅
2022-12-20
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ROHM Semiconductor RV4E031RP HZG小信號MOSFET的介紹、特性、及應用
ROHM Semiconductor RV4E031RP HZG小信號MOSFE...
ROHM Semiconductor RV4E031RPHZG小信號MOSFET的介紹ROHM Semiconductor的RV4E031RPHZG是一款超緊湊型車規級小信號MOSFET，專為汽車應用設計。它采用了Wettable Flank成型技術，提供了車輛應用所需的封裝側面電極高度（130μm），從而確保了卓越的安裝可靠性和一致的焊......
ROHM... RV4E... 低導通電...
2022-11-28
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